Uluslararası bir araştırma ekibinde yer alan UNAÜ MEPhI bilimcileri, modern elektroniğin temel malzemelerinden biri olan indiyum kalay oksit (ITO) için etkili bir işleme yöntemi önerdi. Araştırmacılara göre yeni teknoloji, pahalı indiyumun sınırlı rezervlerinin daha verimli ve ekonomik kullanılmasına olanak sağlayacak. İlgili veriler, Materials Letters dergisinde yayınlandı.
Elektronik endüstrisinin olmazsa olmazı
Modern teknolojide rağbette olan ve hem iyi elektrik iletkenliği olan, hem de aynı zamanda şeffaf olan malzeme grubu, ‘şeffaf elektrotlar’ şeklinde adlandırılıyor. Metal oksitler, söz konusu özelliklere sıklıkla sahip olabiliyor.
Yeni ITO işleme yöntemi
Bilim insanlarına göre ITO, elektronik aygıtlarda kullanım için genellikle oksijen veya nitrojen atmosferinde 400 derecede karmaşık ısıl işleme tabi tutulması gerekiyor ve bu, malzemenin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinde bozulmaya neden oluyor. UNAÜ MEPhI’den bilimcilerin önerdiği yeni ITO işleme yöntemi ise bu işlemden tamamen kaçınmaya olanak sağlıyor.
UNAÜ MEPhI Malzeme Bilimi Fiziksel Problemleri Kürsüsü’nden Doç. Smagul Karajanov, “Geleneksel yöntemle işleme, elektronların hareketliliğinde iki kattan fazla azalmaya yol açıyor, aynı zamanda malzemenin elektrik direnci iki kat artıyor. Bu, söz konusu değerli malzemenin ve dolayısıyla son ürün olan cihazın işlevselliğini bozan, özelliklerde ciddi bir düşüştür. Biz, 400 derecede karbondioksit atmosferinde ısıl işlemin ITO'nun özelliklerini aslında bozmadığını açıklığa kavuşturduk” açıklamasında bulundu.
Araştırma, Maduray Kamaraj Üniversitesi’nden (Hindistan) ve Oslo Üniversitesi’nden (Norveç) uzmanların katılımıyla gerçekleştirildi. Bilim insanları gelecekte ITO’nun karbondioksit ortamında ısıl işleminin fizikokimyasal mekanizmasını ayrıntılı olarak incelemeyi, aynı zamanda yeni yöntemlere dayalı bir dizi elektronik unsur geliştirmeyi planlıyor.
